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林弥 副教授

电子信息学院(集成电路科学与工程学院)

职务:

毕业院校: 浙江大学
邮件: linmi@hdu.edu.cn
办公地点:
电话:

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个人简介

林弥,女,博士研究生,硕士生导师,毕业于浙江大学信电系电路与系统专业。2014年至2015年美国南加州大学Viterbi工程学院Ming Hsieh电子工程系访问学者。

  主要从事共振隧穿器件、忆阻器及二值/多值电路设计理论和研究。国家一流专业电子信息工程系系主任,主持国家自然科学基金,在多个刊物上发表相关学术论文50余篇,其中SCI收录10多篇,授权10与项发明和实用新型专利。教育部来华留学生全英文品牌课程成员,参与多个国家级、省部级和军工项目。



教育经历

1997-2001 浙江大学信电系电子工程专业 本科/学士

2001-2004  浙江大学信电系电路与系统专业研究生/硕士

2005-2010  浙江大学信电系电路与系统专业研究生/博士


工作经历

2004-2014 raybet下赌注 讲师

2014-2015 美国南加州大学Viterbi工程学院Ming Hsieh电子工程系  访问学者

2015-至今 raybet下赌注 副教授、硕士生导师


社会职务

Journal of Zhejiang University: Science CNanoscience and Nanotechnology Letters等多个期刊的审稿人


研究领域

多值逻辑电路研究理论及设计方法,负阻器件研究及电路设计,忆阻器模型及电路设计

教学与课程

1、主讲本科生课程“通信电路与系统”双语教学;

2、主讲本科生课程“通信电路与系统”实验课程;

3、“电路与电子线路综合设计”课程负责人;

4、浙江省高等学校省级精品在线开放课程“通信电路与系统”负责人;

5、浙江省一流线上线下混合课程“通信电路与系统”负责人;

6、浙江省高等学校课程思政示范课程通信电路与系统”负责人;

7、raybet下赌注 基于MOOCs/SPOC的翻转课堂“通信电路与系统”负责人。





纵向科研

1、主持国家自然科学基金青年基金项目“多值共振遂穿电路设计方法研究”;

2、主要参与国家自然科学基金面上项目“变异可识别的负电容CMOS电路设计”;

3、主要参与国家自然科学基金面上项目“随机离散掺杂对纳米CMOS电路影响的快速Pearson IV统计方法及片上抑制技术”;

4、主要参与浙江省自然科学基金项目“面向DFMFinFET电路中随机掺杂的信息处理及统计方法”。


横向科研

1、主持横向项目“数字化车间MES协议适配系统”; 

2、主持横向项目“智能型汽车LED照明控制系统的开发”。


论文

部分代表性论文

1Lin M, Luo W, Li L, Han Q, Lyu W. Design of the Threshold-Controllable Memristor Emulator Based on NDR Characteristics. Micromachines. 2022; 13(6):829. 

2Lin, M, Han, Q, Luo, W, Wang, X, Chen, J, Lyu, W. A ternary memristor full adder based on literal operation and module operation. International Journal of Circuit Theory and Applications,  2022; 50 (8) , pp.2932-2940. doi:10.1002/cta.3287.

3Mi Lin, Wei-feng Lyu, Hai-peng Zhang. Novel tri-valued T flip-flop based on the NDR characteristic. Electronics world, 2019,125(1994):18-21.

4Mi LIN, Qiao WU, Wei-Feng LYU, et al Design of Multiple-valued Logic Unit by Using R-HBT-NDR-Based Memristor. The 9th International Conference on Electronics, Communications and Networks (CECNet2019). 2019: 945-950.

5Mi Lin, Hai-peng Zhang, Wei-feng Lv. An improved ternary three-rail JK flip-flop design, Proceedings of 2016 IEEE International Conference on Integrated Circuits and Microsystems, 2016: 91-94.

6Lin Mi, Sun Ling-ling. A novel ternary JK flip-flop using the resonant tunneling diode literal circuit , Journal of Zhejiang University: Science C2012, 1312):944-950.

7Mi LinZhang Hai-PengLu Wei-FengSun Ling-Ling. Establishment of switch-transmission algebra system for resonant tunneling circuits,Electronics World20111171906):28-32.

8Lin Mi, Zhang Haipeng, Sun Lingling. Testability Design of Multi-valued RTD circuits, International Conference on Electronics, Communications and Control , 2011510-513.

9Mi LIN, Wei-feng LÜ, Ling-ling SUN. Design of ternary D flip-flop with pre-set and pre-reset functions based on resonant tunneling diode literal circuit, Journal of Zhejiang University: Science C2011, 126):507-514.




科研成果

1、主持国家自然科学基金青年基金项目“多值共振遂穿电路设计方法研究”;

2、主要参与国家自然科学基金面上项目“变异可识别的负电容CMOS电路设计”;

3、主要参与国家自然科学基金面上项目“随机离散掺杂对纳米CMOS电路影响的快速Pearson IV统计方法及片上抑制技术”;

4、主要参与浙江省自然科学基金项目“面向DFMFinFET电路中随机掺杂的信息处理及统计方法”。


著作

1、 林弥,李付鹏等电子线路CAD仿真与综合设计,电子工业出版社,2019ISBN 978-7-121-36228-6

2、程知群,陈瑾,林弥等主编:通信电子电路,高等学校电子信息学科 十三五规划教材西安电子科技大学出版社,2019.1,ISNB978-7-5606-5042-5

3 程知群,刘国华,林弥等主编: Comminicaiton Electronic Circuits, 高等学校信息域全英文课程“十三五”系列规划教材,科学出版社,2020.8,ISBN978-7-03-065814-2

4 Zhiqun Cheng,Guihua LiuLin Mi etalComminicaiton Electronic Circuits,China Science Publishing & Media Ltd. and Walter de Gruyter GmbH,Berlin/Boston2020,ISBN 978-3-11-059538-3

5、刘国华,林弥等.“十一五”国家级规划教材-通信电子线路实践教程-设计与仿真,电子工业出版社,2015ISBN 978-7-121-13987-1

6、林弥,刘建岚等电子线路SPICE设计与仿真,电子工业出版社,2014ISBN 978-7-121-22735-6



专利成果

1、 发明专利:一种三端可控型忆阻器模拟电路. 林弥,李路平,罗文瑶,王旭亮,陈俊杰,韩琪. 授权公告号:CN113054986B  2022-08-16

2、发明专利:一种混合型CMOS-忆阻全加器电路.  林弥,王旭亮,陈俊杰,韩琪,罗文瑶. 授权公告号:CN113285705B 2022-04-26

3、发明专利:一种带异步置位复位的CMOS混合型SR忆阻锁存器电路. 林弥,陈俊杰,王旭亮,罗文瑶,韩琪. 授权公告号:CN112953498B  2022-05-03

4、发明专利:一种可编程忆阻器逻辑电路. 林弥,王旭亮,李路平,陈俊杰,韩琪,罗文瑶. 授权公告号:CN112787657B 2022-05-17

5、发明专利:一种忆阻器电路. 林弥,李路平,吴巧,汪兰叶. 授权公告号:CN110197688B 2020-10-16

6、发明专利:一种金属栅功函数变化导致栅电容统计分布的估计方法. 吕伟锋,王光义,林弥,孙玲玲. 授权公告号:CN 108052727B  2021-05-14

7、发明专利:一种新型电压域振荡二极管 . 张海鹏,张强,张忠海,林弥,吕伟锋,白建玲. 授权公告号:CN108183136B  2021-01-26

8、发明专利:一种低功耗GaN/AlGaN共振隧穿二极管. 张海鹏,白建玲,林弥,郝郗亮,张忠海,吕伟锋授权公告号:CN108198867B 2021-04-20

9、发明专利:一种电压域振荡量子阱器件伏安特性的建模方法. 张海鹏,白建玲,林弥,张忠海,王晶,吕伟锋;,晓媛,张强. 授权公告号:CN108717471B 2022-01-04

10、发明专利:一种GaN基高压整流共振隧穿二极管. 张海鹏,耿露,王晓媛,张忠海,林弥,陆雪杰. 授权公告号:CN109524453B 2022-03-29




荣誉及奖励

12022“最受师生喜爱的书记提名奖;

22020双带头人教师党支部书记工作室;

32020年先进基层党支部支部书记;

42020年校级优秀教学成果奖二等奖;

52019年浙江省本科院校通信电路与系统互联网+教学优秀案例一等奖;

62018年校级优秀教学成果奖一等奖;

72015年校级优秀教学成果奖一等奖。


软件成果